背景技術(shù):

GPP(玻璃鐘化)芯片是目前高新技術(shù)的主流。GPP工藝分為三種工藝實現(xiàn)方法:①刀刮法(②光阻法③電泳法，然而這三種方法均有優(yōu)缺點，刀刮法成本低但漏電不均勻:光阻法參數(shù)一致性雖較好但成本較高;電泳法一次性投資大，環(huán)保成本高，廢棄物不易處理。目前對半導(dǎo)體表面鈍化的要求越來越高，GPP芯片應(yīng)具備：1、良好的電氣性能和可靠性，包括電阻率、介電強度、離子遷移率等，材料的引入不應(yīng)給器件帶來副作用；2、是良好的化學(xué)穩(wěn)定性，具有一定的抗化學(xué)腐蝕能力：3、是可操作性，工藝簡單、重復(fù)性好，能與器件制造丁藝相容，材料的膨脹系數(shù)要與硅材料相一致或接近:四是經(jīng)濟性，可大批量生產(chǎn)，制造成本要低，有市場競爭力，材料和工藝有強大的生命力和開發(fā)潛力。然而現(xiàn)在市面上的方法制備的GPP芯片存在這樣那樣的問題，不能滿足需要。

技術(shù)特征:

1.-種高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，包括如下步：
（1）將擴散好的PN結(jié)硅片上涂上光刻膠；
（2）采用HF:HNO3:HAC混合的腐蝕液進行腐蝕溝槽；
（3）采用LPCVD生長方式在溝槽內(nèi)進行摻氧摻氨；
（4）刮涂玻璃粉，燒結(jié)玻璃;
（5）在步驟4)燒結(jié)后采用PECVD生長軟Si3N4；
（6）進行二次光刻并鍍Ni，然后鍍Ni-Si合金，鍍完Ni-Si合金后再次鍍Ni;7)測試；
（7）背面激光劃片。

2.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟2)中HF:HNO3:HAC的體積比為0.8~1.2:0.8~1.2:1.8~2.2，所述HF、HNO3、HAC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)濃度分別為40~45%、83~93%、33~45%。3.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟3)采用LPCVD生長方式在溝槽內(nèi)進行摻氫摻氮的條件為650℃。7509C
4.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟4)在820℃~850℃，N2+02條件下進行燒結(jié)玻璃。
5.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟5)PECVD的工作條件為380℃~420℃
6.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟6)中在580~620℃、N2+H2條件下鍍N1-Si合金。