產(chǎn)品分類
產(chǎn)品描述
- 功耗（Ptot）為270W；
- 集電極截止電流（Ices）為40μA；
- G-E 漏電流（Iges）為100nA；
- 工作時耐溫度范圍為-40℃至175℃；
- 輸入電容（Ciss）為2800pF，輸出電容（Coss）為54pF；
- 脈沖集電極電流（Icpuls）為150A；
- 集電極到發(fā)射極電壓（Vces）為650V；
- 打開延遲時間 td(on)為21ns，關(guān)閉延遲時間 td(off)為173ns。
TO-247 封裝的本體長度是21.1mm，加引腳長度為41.42mm，寬度為16.13mm，高度為5.21mm，腳間距為5.44mm。
IGBT 結(jié)合了 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的優(yōu)點，具有驅(qū)動電流小、導(dǎo)通電阻低等特點。它常用于交流電的電機控制輸出、變頻驅(qū)動、電動汽車、太陽能逆變器、不間斷電源等多種電力電子設(shè)備中，在許多應(yīng)用中用于切換電力。
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