產品分類
MLS03N04A SOT-23
廣東佳訊電子 MLS03N04A 40V/3A N溝道MOSFET產品描述 產品概述 MLS03N04A 是一款采用先進溝槽型低壓(LV)MOSFET技術的N溝道功率器件,具備40V耐壓與3A連續電流能力。其通過高密度單元設計實現超低導通電阻(RDS(ON)),同時支持高速開關,適用于高效電源管理與負載控制場景。產品采用SOT-23封裝,符合工業級可靠性標準。 核心特性 高性能參數 耐壓與電流能力: 漏源電壓(VDS):40V(最大值) 連續漏極電流(ID):3A(VGS=10V,TC=25℃) 脈沖漏極電流(IDM):12A(TC=25℃) 超低導通電阻: RDS(ON):65mΩ(VGS=10V,ID=2.5A) / 95mΩ(VGS=4.5V,ID=1.5A) 高速開關特性: 開關延遲時間:4.2ns(導通) /?7.9ns(關斷) 總柵極電荷(Qg):5.5nC(VDS=10V,ID=3A) 電氣可靠性 柵源耐壓(VGS):±20V(最大值) 漏源擊穿電壓(BV DSS):40V(VGS=0V,ID=250μA) 低漏電流: 零柵壓漏電流(IDSS):<1μA(VDS=40V) 柵極漏電流(IGSS):±100nA(VGS=±20V) 溫度適應性 工作結溫(TJ):-50℃ ~ 150℃ 熱阻(RθJA):150℃/W(基于1平方英寸2盎司銅焊盤) 應用領域 電池保護:鋰電池組充放電管理 電源管理:DC-DC轉換器、負載開關 工業控制:電機驅動、繼電器替代 消費電子:便攜設備電源模塊、USB供電控制 封裝與訂購 封裝類型:SOT-23(緊湊型貼片封裝,尺寸詳見規格書) 包裝規格: 最小包裝:3,000顆/卷帶 整箱數量:180,000顆 型號標識:MLS03N04A(封裝標記“4003”) 產品優勢 高效節能:低導通電阻減少功率損耗,提升系統效率。 快速響應:納秒級開關速度,適用于高頻電路設計。 高可靠性:寬溫度范圍與工業級耐壓設計,適配嚴苛環境。 緊湊設計:SOT-23封裝節省PCB空間,支持高密度布局。 適用場景 廣泛應用于消費電子、工業自動化、新能源設備及便攜式產品的電源管理模塊,是優化能效與空間利用的理想解決方案。
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MOSFET
中低壓MOSFET
產品描述
廣東佳訊電子 MLS03N04A 40V/3A N溝道MOSFET產品描述
產品概述
MLS03N04A 是一款采用先進溝槽型低壓(LV)MOSFET技術的N溝道功率器件,具備40V耐壓與3A連續電流能力。其通過高密度單元設計實現超低導通電阻(RDS(ON)),同時支持高速開關,適用于高效電源管理與負載控制場景。產品采用SOT-23封裝,符合工業級可靠性標準。
核心特性
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高性能參數
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耐壓與電流能力:
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漏源電壓(VDS):40V(最大值)
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連續漏極電流(ID):3A(VGS=10V,TC=25℃)
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脈沖漏極電流(IDM):12A(TC=25℃)
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超低導通電阻:
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RDS(ON):65mΩ(VGS=10V,ID=2.5A) / 95mΩ(VGS=4.5V,ID=1.5A)
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高速開關特性:
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開關延遲時間:4.2ns(導通) / 7.9ns(關斷)
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總柵極電荷(Qg):5.5nC(VDS=10V,ID=3A)
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電氣可靠性
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柵源耐壓(VGS):±20V(最大值)
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漏源擊穿電壓(BV DSS):40V(VGS=0V,ID=250μA)
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低漏電流:
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零柵壓漏電流(IDSS):<1μA(VDS=40V)
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柵極漏電流(IGSS):±100nA(VGS=±20V)
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溫度適應性
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工作結溫(TJ):-50℃ ~ 150℃
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熱阻(RθJA):150℃/W(基于1平方英寸2盎司銅焊盤)
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應用領域
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電池保護:鋰電池組充放電管理
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電源管理:DC-DC轉換器、負載開關
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工業控制:電機驅動、繼電器替代
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消費電子:便攜設備電源模塊、USB供電控制
封裝與訂購
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封裝類型:SOT-23(緊湊型貼片封裝,尺寸詳見規格書)
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包裝規格:
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最小包裝:3,000顆/卷帶
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整箱數量:180,000顆
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型號標識:MLS03N04A(封裝標記“4003”)
產品優勢
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高效節能:低導通電阻減少功率損耗,提升系統效率。
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快速響應:納秒級開關速度,適用于高頻電路設計。
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高可靠性:寬溫度范圍與工業級耐壓設計,適配嚴苛環境。
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緊湊設計:SOT-23封裝節省PCB空間,支持高密度布局。
適用場景
廣泛應用于消費電子、工業自動化、新能源設備及便攜式產品的電源管理模塊,是優化能效與空間利用的理想解決方案。
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