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MLS3400B SOT-23
■描述 ●AP3400BI采用先進的溝槽技術，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護或其他開關應用。 ■一般特征 ●V-DS=30V，I-D=5.8A ●R-DS（ON）<28mΩ@V-GS=10V（類型：26mΩ） 品類: N通道增強模式MOSFET 應用: [ 不間斷電源 ][ 電池保護 ][ 負載開關 ]
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MOSFET
中低壓MOSFET
產品描述
■描述
●AP3400BI采用先進的溝槽技術，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護或其他開關應用。
■一般特征
●V-DS=30V，I-D=5.8A
●R-DS（ON）<28mΩ@V-GS=10V（類型：26mΩ）
品類: N通道增強模式MOSFET
應用: [ 不間斷電源 ][ 電池保護 ][ 負載開關 ]
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